| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接，从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN106067794A | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201610252147.9 | 申请日期 | 2016.04.21 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 豊田久志;山崎幸一;新井耕一;关达弘 |
| 分类号 | H03K17/042(2006.01)I;H03K17/16(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李罡;陆锦华 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的常开型的结型FET；以及具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的常闭型的MOSFET，所述第一源电极与所述第二漏电极进行电连接，从而所述结型FET与所述MOSFET串联地连接，所述第一栅电极与所述第二栅电极进行电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||