一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置

摘要

本发明涉及一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉包括中频电源、接触电极、加热线圈、保温层和石墨坩埚，所述保温层设置有倒置漏斗形的温度监测孔，温度监测孔的上部和下部为圆柱状，上部的圆柱通过圆锥面与下部的圆柱相连接，下部的圆柱的直径大于上部的圆柱的直径。另外，保温层外侧还设置有阻磁装置。本发明由于温度监测孔的特殊形状，降低了晶体的径向温度梯度，进而减小生长过程中的热应力，同时增加了轴向温度梯度，在一定程度上提高晶体生长速度，并且还避免了轴向温度梯度的不均匀性；并且本发明增加了硅钢片阻磁装置，减小了加热功率，保障了操作人员的安全。

主权项

一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置，其特征在于，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉包括中频电源、接触电极、加热线圈、保温层和石墨坩埚；所述保温层设置有倒置漏斗形的温度监测孔。