发明名称 一种SiC光学材料加工设备
摘要 本发明公开了一种SiC光学材料加工设备,包括电感耦合等离子体发生装置、工作气体供给源(8)和反应气体供给源(9),所述反应气体供给源(9)中装有能通过电感耦合等离子体发生装置激发后与SiC发生化学反应的反应气体,所述电感耦合等离子体发生装置包括等离子体炬管(34)和套设于等离子体炬管(34)外的感应线圈(35),所述工作气体供给源(8)和反应气体供给源(9)与等离子体炬管(34)相连,所述感应线圈(35)的一端与射频电源(4)相连,所述感应线圈(35)的另一端通过可调电阻器R1接地。本发明具有结构简单、成本低廉,加工过程无亚表面损伤、无残余应力层产生,加工效率高等优点。
申请公布号 CN103456610B 申请公布日期 2016.12.28
申请号 CN201310366741.7 申请日期 2013.08.21
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 解旭辉;史宝鲁;李圣怡;戴一帆;周林;廖春德
分类号 H01L21/263(2006.01)I;G02B5/08(2006.01)I 主分类号 H01L21/263(2006.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人 赵洪
主权项 一种SiC光学材料加工设备,其特征在于:包括电感耦合等离子体发生装置、工作气体供给源(8)和反应气体供给源(9),所述反应气体供给源(9)中装有能通过电感耦合等离子体发生装置激发后与SiC发生化学反应的反应气体,所述电感耦合等离子体发生装置包括等离子体炬管(34)和套设于等离子体炬管(34)外的感应线圈(35),所述工作气体供给源(8)和反应气体供给源(9)与等离子体炬管(34)相连,所述感应线圈(35)的一端与射频电源(4)相连,所述感应线圈(35)的另一端通过可调电阻器R1接地。
地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院