| 发明名称 | 半导体集成电路器件及衬底偏置控制方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路器件，其包括：第一偏置产生电路(301)、第二偏置产生电路(302)和控制电路(28)。该第一偏置产生电路(301)产生P沟道晶体管的第一衬底偏置电压。该第二偏置产生电路(302)产生N沟道晶体管的第二衬底偏置电压。该控制电路(28)基于向其施加了该第一衬底偏置电压和第二衬底偏置电压的电路的操作状态，独立地控制所述第一偏置产生电路和所述第二偏置产生电路。 | ||
| 申请公布号 | CN101056103A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710096039.8 | 申请日期 | 2007.04.10 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 成竹功夫 |
| 分类号 | H03K19/20(2006.01);H03K17/30(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H03K19/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件，包括：第一偏置产生电路，其配置为产生P沟道晶体管的第一衬底偏置电压；第二偏置产生电路，其配置为产生N沟道晶体管的第二衬底偏置电压；以及控制电路，其配置为基于向其施加了所述第一衬底偏置电压和所述第二衬底偏置电压的电路的操作状态，独立地控制所述第一偏置产生电路和所述第二偏置产生电路。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||