发明名称 |
一种晶体硅及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种晶体硅的制备方法,包括:将多晶硅料和掺杂剂加入到铸锭炉或单晶炉的坩埚内,掺杂剂为含有掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种;掺杂元素包括硼、镓和锑;多晶硅料中,镓、锑和硼三种元素的原子浓度比为1:(0.15‑0.3):(0.005‑0.1);在保护气体存在下,加热使多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体,调节晶体硅生长参数,使硅熔体开始长晶,待坩埚内的硅熔体结晶完毕后,得到晶体硅。本发明提供的晶体硅的制备方法,解决了晶体硅的电阻率分布较宽的问题,提高了晶体硅的收率;方便了头尾料的回收,降低了晶体硅的应用成本。本发明还提供了一种晶体硅,该晶体硅电阻率分布集中,利用该晶体硅制成的太阳能电池片的光衰大大降低。 |
申请公布号 |
CN106222742A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610817233.X |
申请日期 |
2016.09.12 |
申请人 |
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
发明人 |
刘海;罗鸿志;胡动力;何亮 |
分类号 |
C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B11/04(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/06(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
郝传鑫;熊永强 |
主权项 |
一种晶体硅的制备方法,其特征在于,包括:将多晶硅料和掺杂剂加入到铸锭炉或单晶炉的坩埚内,所述掺杂剂为含有掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种;所述掺杂元素包括硼、镓和锑;所述多晶硅料中,所述镓、所述锑和所述硼三种元素的原子浓度比为1:(0.15‑0.3):(0.005‑0.1);在保护气体存在下,加热使所述多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体,调节晶体硅生长参数,使所述硅熔体开始长晶,待所述坩埚内的硅熔体结晶完毕后,得到晶体硅。 |
地址 |
338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 |