发明名称 |
一种稀土金属单晶体及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种稀土金属单晶体及其制备方法,制备方法包括:A、将稀土金属熔炼为铸锭,并冷却铸锭,控制冷却速度,形成等轴晶;B、将铸锭按晶粒轴向方向挤压;C、将挤压后的铸锭装入带辅助线圈的真空感应炉中,按设定加热制度加热并变换辅助线圈位置,设定每2~10小时变换辅助线圈位置一次;D、生长5~10小时后,关闭加热,冷却样品,将样品再次按晶粒轴向方向挤压,然后重复步骤C的操作,直至生长时间总计10~100小时;E、将生长完成的铸锭,按可见晶界切割,得到稀土金属单晶体。本发明工艺简单,产物纯度高,晶粒尺寸大,采用本发明的制备方法所制备的产品可用于金属材料研发的基准材料,定向转换材料,镀膜材料等。 |
申请公布号 |
CN106222744A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610731393.2 |
申请日期 |
2016.08.26 |
申请人 |
深圳市威斯康新材料科技有限公司 |
发明人 |
吴守球 |
分类号 |
C30B29/02(2006.01)I;C30B30/04(2006.01)I;C30B1/02(2006.01)I;C30B1/12(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 |
代理人 |
刘杰 |
主权项 |
一种稀土金属单晶体的制备方法,其特征在于,包括:步骤A、将稀土金属熔炼为铸锭,并冷却铸锭,控制冷却速度,形成等轴晶;步骤B、将铸锭按晶粒轴向方向挤压;步骤C、将挤压后的铸锭装入带辅助线圈的真空感应炉中,按设定加热制度加热并变换辅助线圈位置,设定每2~10小时变换辅助线圈位置一次;步骤D、生长5~10小时后,关闭加热,冷却样品,将样品再次按晶粒轴向方向挤压,然后重复步骤C的操作,直至生长时间总计10~100小时;步骤E、将生长完成的铸锭,按可见晶界切割,得到稀土金属单晶体。 |
地址 |
518100 广东省深圳市宝安区新安街道宝兴路21号万骏经贸大厦1015室 |