| 发明名称 | 芯片封装和用于制造芯片封装的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及芯片封装和用于制造芯片封装的方法。本发明提供了一种用于制造芯片封装的方法。该方法包括：在芯片侧上形成电绝缘材料；选择性地移除所述电绝缘材料的至少一部分，由此在所述电绝缘材料中形成沟槽；将导电材料沉积在所述沟槽中，其中所述导电材料电连接到形成在所述芯片侧上的至少一个接触焊盘；在所述电绝缘材料上形成导电结构，其中所述导电结构的至少一部分与所述导电材料直接物理和电连接；以及在所述导电结构上沉积接合结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103762184B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310330942.1 | 申请日期 | 2013.08.01 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J.费尔斯特;W.哈特纳;J.希尔特赖特;U.瓦赫特 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马红梅;刘春元 |
| 主权项 | 一种用于制造芯片封装的方法，该方法包括：在芯片侧上形成电绝缘材料；选择性地移除所述电绝缘材料的至少一部分，由此在所述电绝缘材料中形成沟槽；将导电材料沉积在所述沟槽中，其中所述导电材料电连接到形成在所述芯片侧上的至少一个接触焊盘；在所述电绝缘材料上形成导电结构，其中所述导电结构包括第一导电层和凸块下金属化结构的均质结构，并且其中所述导电结构的至少一部分与所述导电材料直接物理和电连接；以及在所述导电结构上沉积接合结构。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||