| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum selektiven plasmachemischen Trockenätzen von auf Oberflächen von Silicium-Wafern ausgebildetem Phosphorsilikatglas ((SiO<SUB>2</SUB>)<SUB>x</SUB>P<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>)<SUB>y</SUB>). Es ist dabei Aufgabe der Erfindung, eine kostengünstige, effektive, selektive und Herstellungsverluste zumindest reduzierende Möglichkeit zu schaffen, mit der Phosphorsilikatglas von Silicium-Wafern entfernt werden kann. Bei der Erfindung wird so vorgegangen, dass kristalline Silicium-Wafer, deren Oberfläche mit Phosphorsilikatglas versehen ist, selektiv plasmachemisch geätzt werden. Dabei werden ein mit einer Plasmaquelle gebildetes Plasma und ein Ätzgas bei Atmosphärendruck auf das Phosphorsilikatglas gerichtet, das so entfernt werden kann.
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