制造半导体衬底的方法

摘要

以离子照射单晶半导体衬底的表面，以便在单晶半导体衬底内形成受损区域。在所述单晶半导体衬底的表面上形成绝缘层。彼此接触地布置具有绝缘表面的衬底的表面和所述绝缘层的表面，以便彼此接合具有所述绝缘表面的衬底和所述单晶半导体衬底。执行热处理，以便沿着所述受损区域划分所述单晶半导体衬底，并且在具有所述绝缘表面的衬底上形成半导体层。在不熔化所述半导体层的情况下以来自闪光灯的光照射所述半导体层的表面，以便修复缺陷。

主权项

1.一种用于制造半导体衬底的方法，包括如下步骤：以离子照射单晶半导体衬底的表面，以在所述单晶半导体衬底中形成受损区域；在所述单晶半导体衬底的表面之上形成绝缘层；彼此接触地布置具有绝缘表面的衬底的表面和所述绝缘层的表面，以便将具有所述绝缘表面的衬底与所述单晶半导体衬底彼此接合；执行热处理，以便沿着所述受损区域划分所述单晶半导体衬底，并且在具有所述绝缘表面的衬底之上形成半导体层；和在不熔化所述半导体层的情况下以来自闪光灯的光照射所述半导体层的表面，以便修复缺陷。