半导体装置

摘要

IGBT区域设在第1电极上，作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上，作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间，邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域，在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域，作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：IGBT区域，设在第1电极上，作为IGBT发挥功能；二极管区域，设在上述第1电极上，作为二极管发挥功能；以及边界区域，设在上述IGBT区域与上述二极管区域之间，邻接于上述IGBT区域与上述二极管区域；并具备：第2导电型的集电区层，在上述IGBT区域及上述边界区域中设在上述第1电极的第一面侧；第1导电型的阴极层，在上述二极管区域中设在上述第1电极的第一面侧，与上述集电区层离开规定距离；第1导电型的第1半导体区域，在上述IGBT区域、上述二极管区域及上述边界区域中设在上述第1电极的上述第一面侧；第1导电型的漂移层，在上述IGBT区域、上述二极管区域及上述边界区域中设在上述第1半导体区域的与上述第1电极侧相反的一侧；第2导电型的阳极层，在上述二极管区域中设在上述漂移层的与上述第1电极侧相反的一侧；第2导电型的扩散层，在上述边界区域中设在上述漂移层的与上述第1电极侧相反的一侧；以及阳极电极，电连接于上述阳极层；上述第1半导体区域，在上述漂移层侧的表面具有第一杂质浓度量，而在其内部具有杂质浓度的峰值，并且，在第1电极侧的背面具有与上述第一杂质浓度同等以上的第二杂质浓度量，上述扩散层和上述漂移层之间的边界相比于上述阳极层和上述漂移层之间的边界，位于上述第1电极侧，上述集电区层位于上述扩散层和上述第1电极之间。