| 发明名称 | 具有较小平带位移的硅质膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备具有良好绝缘性的硅质膜的方法，及应用于该方法的涂料组合物。该涂料组合物包含数均分子量为100～50,000的全氢聚硅氮烷或改性全氢聚硅氮烷，以及铝化合物，用铝原子与硅原子的摩尔比表示，该涂料组合物的含铝量不小于10ppb，不大于100ppm。硅质膜是将涂料组合物涂覆到基板上，而后在含蒸汽、氧或由蒸汽和氧组成的混合气体的环境中烧制该涂覆的基板制备的。 | ||
| 申请公布号 | CN101001930A | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN200580026893.6 | 申请日期 | 2005.08.12 |
| 申请人 | AZ电子材料（日本）株式会社 | 发明人 | 清水泰雄;一山昌章;名仓映乃 |
| 分类号 | C09D183/16(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/316(2006.01);B32B18/00(2006.01);H01L29/78(2006.01);C01B33/12(2006.01);B32B9/00(2006.01);H01B3/46(2006.01) | 主分类号 | C09D183/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1.一种涂料组合物，包含：至少一种选自由数均分子量为100～50,000的全氢聚硅氮烷和改性全氢聚硅氮烷组成的组中的聚硅氮烷化合物，铝化合物和溶剂，用聚硅氮烷化合物中包含的铝原子与硅原子的摩尔比表示，该涂料组合物的含铝量不小于10ppb，不大于100ppm。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||