| 发明名称 | 非易失性半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及一种非易失性半导体存储器件中的存储单元，其包括隧穿绝缘膜、由包含Si的导电材料制成的浮动栅电极、由稀土氧化物、稀土氮化物或稀土氧氮化物制成的电极间绝缘膜、控制栅电极、以及在浮动栅电极和电极间绝缘膜之间形成的金属硅化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101055893A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710086346.8 | 申请日期 | 2007.03.13 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 西川幸江;高岛章;清水达雄 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建峰 |
| 主权项 | 1.一种具有存储单元的非易失性半导体存储器件，每个存储单元包括：具有第一导电类型的半导体区；具有第二导电类型的源极和漏极区；在源极和漏极区之间形成的沟道区；在半导体区中形成的隔离区；在沟道区上形成的隧穿绝缘膜；在隧穿绝缘膜上形成的并且由包含Si的导电材料制成的浮动栅电极；在浮动栅电极上形成的金属硅化膜；在金属硅化膜上形成的电极间绝缘膜，其由稀土氧化物、稀土氮化物或稀土氧氮化物制成；以及在电极间绝缘膜上形成的控制栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||