| 摘要 |
1. Светоизлучающее комбинированное устройство, отличающееся тем, что оно содержит светоизлучающую полупроводниковую структуру и фотолюминофор на основе Лангасита, где светоизлучающая полупроводниковая структура расположена по отношению к фотолюминофору Лангасит таким образом, что некоторое количество света, излучаемого полупроводниковой структурой, взаимодействует с фотолюминофором и за счет переизлучения люминофором изменяет длину волны. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что светоизлучающей полупроводниковой структурой является светодиодная структура InGaN. ! 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что фотолюминофор изготовлен посредством активирования Лангасита Церием. ! 4. Оптически активная композиция, отличающаяся тем, что она имеет формулу ! La3-x[Me1]5[Me2]1O14:[At]x, ! где Me1 является, по меньшей мере, одним из двух металлов III группы: Ga и In; ! Me2 является, по меньшей мере, одним из двух металлов IV группы: Si и Ge; ! Atx является, по меньшей мере, одним лантанидом из группы: Се, Sc, Y, Gd, Yb, Lu, Sm, Eu, Tb, Er, Dy, Pr, Но и Tm, ! где ! где 1≤N≤14 и x≤3. ! 5. Оптически активная композиция по п.4, отличающаяся тем, что она имеет кристаллическую структуру, характеризующуюся ! P321(D2 3). ! 6. Оптически активная композиция по п.4, отличающаяся тем, что Me1 является комбинацией двух металлов Ga и In. ! 7. Оптически активная композиция по п.4, отличающаяся тем, что Me2 является комбинацией двух металлов Si и Ge. ! 8. Оптически активная композиция по п.4, отличающаяся тем, что композиция состоит из кристаллов, где средний размер кристаллов составляет величину, от 8 до 40 раз большую по сравнению с длиной волны максимума спектра излучения. ! 9. Оптически активная композиция, отли |
