非易失存储器的过擦除处理方法和处理系统

摘要

本发明提供了一种非易失存储器的过擦除处理方法，包括以下步骤：在逻辑块中所有存储单元的字线上施加大于目标阈值电压的处理电压；校验所有存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压，若是，则结束操作，反之，则进行下一步骤；对校验后所有阈值电压小于目标阈值电压的存储单元进行软编程操作，并返回上一步骤。本发明还提供了一种实现前述方法的非易失存储器的过擦除处理系统。本发明的非易失存储器的过擦除处理方法和处理系统，能够快速的使所有的存储单元恢复到正常的擦除状态，节省了过擦除处理的时间，提高了测试的效率。

主权项

一种非易失存储器的过擦除处理方法，包括以下步骤：在逻辑块中所有存储单元的字线上施加大于目标阈值电压的处理电压；校验所有存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压，若是，则结束操作，反之，则进行下一步骤；所述校验所有存储单元的阈值电压是否大于等于目标阈值电压包括：给待校验的各存储单元的字线施加一个正电压，得出该待校验存储单元中的测量电流；在给待校验的存储单元的字线施加一个正电压的时候，给与所述待校验的存储单元同一位线上的其它存储单元的字线上施加一个负电压；负电压根据剩下的阈值电压小于目标阈值电压的存储单元的阈值电压的分布范围确定，负电压等于或者小于剩下的阈值电压的最小值；对校验后所有阈值电压小于目标阈值电压的存储单元进行软编程操作，并返回上一步骤；其中，所述目标阈值电压的取值范围为0.5V‑1V，不包括1V；所述处理电压的选取方法为：确定目标阈值电压及过驱动电压；所述处理电压的取值为目标阈值电压与过驱动电压之和。