发明名称 |
一种片上随机存取存储器内建自测试方法和装置 |
摘要 |
本发明实施例提供一种片上RAM BIST方法和装置,其中方法包括:预先设置写入功能模式Pattern和测试功能Pattern;当RAM BIST模块接收到写入功能Pattern时,RAM BIST模块将自身切换为RAM写入程序状态,并将写入功能Pattern中的指令写入RAM,CPU将取值地址映射到对应的RAM,并根据所述取值地址读取指令;当RAM BIST模块接收到测试功能Pattern时,基于March LR算法,从所述测试起始地址开始在RAM执行指令进行测试,并输出测试结果。本发明实施例能够提高测试芯片数量、节约检测时间、减少检验步骤,从而降低芯片测试成本和提高测试效率。 |
申请公布号 |
CN105760268A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201610099762.0 |
申请日期 |
2016.02.23 |
申请人 |
大唐微电子技术有限公司;大唐半导体设计有限公司 |
发明人 |
王震;张祥杉 |
分类号 |
G06F11/267(2006.01)I;G06F11/22(2006.01)I |
主分类号 |
G06F11/267(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
韩辉峰;李丹 |
主权项 |
一种片上随机存取存储器RAM内建自测试BIST方法,其特征在于,包括:预先设置写入功能模式Pattern和测试功能Pattern,所述写入功能Pattern包括指令和结束标志,所述测试功能Pattern包括指令、测试起始地址和结束标志;当RAM BIST模块接收到写入功能Pattern时,RAM BIST模块将自身切换为RAM写入程序状态,并将写入功能Pattern中的指令写入RAM,CPU将取值地址映射到对应的RAM,并根据所述取值地址读取指令;当RAM BIST模块接收到测试功能Pattern时,基于March LR算法,从所述测试起始地址开始在RAM执行指令进行测试,并输出测试结果。 |
地址 |
100094 北京市海淀区永嘉北路6号 |