Halbleitervorrichtung

摘要

Eine höhere Spannungsfestigkeit wird dadurch erreicht, dass man eine Sperrschicht innerhalb einer Umfangsregion schneller wachsen lässt. Eine Halbleitervorrichtung weist eine Elementregion, in der ein Schaltelement mit Gate-Isolierung vorgesehen ist, und die Umfangsregion auf. Ein erster Graben und ein zweiter, vom ersten Graben beabstandeter Graben sind in der vorderen Oberfläche in der Umfangsregion vorgesehen. Isolierbeschichtungen sind im ersten Graben und im zweiten Graben vorgesehen. Eine vierte Region des zweiten Leitfähigkeitstyps ist so vorgesehen, dass sie sich von einer unteren Oberfläche des ersten Grabens bis zu einer unteren Oberfläche des zweiten Grabens erstreckt. Eine fünfte Region des ersten Leitfähigkeitstyps, die sich an die dritte Region anschließt, ist unter der vierten Region angeordnet.