| 发明名称 | 图案的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种图案的形成方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成包括多个等间距、平行排列第一线的第一图案，第一图案的孔距为最终形成图案孔距的四倍；在第一线延伸方向的两相对侧壁形成第二线，其中，第二线的线宽等于第一线的线宽，第二线的材料与第一线的材料不同；在第二线与第一线相对且远离第一线的侧壁形成第三线，第三线的线宽与第一线的线宽相同；在第三线与第二线相对且远离第二线的侧壁外延生长形成第四线，第四线的线宽与第一线的线宽相同，第四线的材料与第三线的材料不同；去除第一线、第三线，最终形成的图案包括第二线、第四线。第二线、第四线构成的图案具有均匀排列密度和较佳的线宽，以该图案定义并形成的半导体器件性能良好。 | ||
| 申请公布号 | CN103928312B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310009256.4 | 申请日期 | 2013.01.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种图案的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成包括多个等间距、平行排列第一线的第一图案，第一图案的孔距为最终形成图案孔距的四倍；在所述第一线延伸方向的两相对侧壁形成第二线，其中，第二线的线宽等于第一线的线宽，第二线的材料与第一线的材料不同；在所述第二线与第一线相对且远离第一线的侧壁形成第三线，第三线的线宽与第一线的线宽相同；在所述第三线与第二线相对且远离第二线的侧壁外延生长形成第四线，第四线的线宽与第一线的线宽相同，第四线的材料与第三线的材料不同；去除所述第一线、第三线，最终形成的图案包括第二线、第四线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||