| 发明名称 | 复合存储电路及具有该电路的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种能够高速执行写入操作和读出操作的复合存储电路，由此来提供一种能够实现瞬时接通和瞬时关机功能的半导体装置。复合存储电路是由并联连接的易失性存储电路和非易失性存储电路构成的，并且在非易失性存储电路中存储的信息和易失性存储电路中存储的信息相同。另外，随着对易失性存储电路的供电下降，易失性存储电路中的存储信息被写入非易失性存储电路。在电源故障或供电下降之后恢复供电时再从非易失性存储电路将存储信息送回易失性存储电路。还有一种由所述复合存储电路组成的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1643614A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN03806891.5 | 申请日期 | 2003.02.07 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 森山胜利;森宽伸;塚崎久畅 |
| 分类号 | G11C11/15 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种复合存储电路，其特征在于存储电路的配置是易失性存储电路和非易失性存储电路并联连接，并且在所述非易失性存储电路中存储的信息和所述易失性存储电路中存储的信息相同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||