| 发明名称 | 铁电随机存取存储器的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种铁电随机存取存储器的制作方法。该方法包括如下步骤：(a)在一个预先长有晶体管的基片上生长第一层间绝缘层；(b)刻蚀第一层间绝缘层，形成存储节点接触孔，露出一部分基片；(c)在存储节点接触孔中掩埋存储节点接触结构，包括塞子和势垒金属层；(d)在第一层间绝缘层和存储节点接触结构上生长粘附层；(e)促使塞子上方的粘附层的特定部分被撕裂；(f)有选择地刻蚀上述被撕裂部分，露出塞子上方的势垒金属层的表面；以及(g)通过势垒金属层露出的表面形成一个和塞子相连接的铁电体电容。 | ||
| 申请公布号 | CN100343976C | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200310120832.9 | 申请日期 | 2003.12.26 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 权纯容;廉胜振 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种铁电随机存取存储器的制作方法，包括如下步骤：在一个预先长有晶体管的基片上生长第一层间绝缘层；刻蚀第一层间绝缘层，形成存储节点接触孔，露出一部分基片；在存储节点接触孔中掩埋存储节点接触结构，包括塞子和势垒金属层；在第一层间绝缘层和存储节点接触结构上生长粘附层；促使塞子上方的粘附层的特定部分被撕裂；有选择地刻蚀上述被撕裂部分，露出塞子上方的势垒金属层的表面；以及通过势垒金属层露出的表面形成一个和塞子相连接的铁电体电容。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||