| 发明名称 | 一种含溴空穴传输材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于有机电致发光显示技术领域，具体涉及一种含溴的高效空穴传输材料，具体为提供一种含溴的空穴传输材料及其制备方法，该空穴传输材料的结构式为Br-DQTPA，结构式为：<img file="DDA0000937494780000011.GIF" wi="408" he="367" />该材料空穴传输性能明显提高，能够用作高效率有机电致发光器件中的空穴传输层，能制作出高效率的有机电致发光器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105669544A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610131762.4 | 申请日期 | 2016.03.09 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 陶斯禄;杜晓扬;杨晓霞 |
| 分类号 | C07D215/12(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I | 主分类号 | C07D215/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人 | 李明光 |
| 主权项 | 一种含溴空穴传输材料，其特征在于，该空穴传输材料为含溴的有机化合物，其结构式为：<img file="FDA0000937494750000011.GIF" wi="406" he="366" /> | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||