具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET及其制造方法，是在P型SOI衬底上制造射频SOI功率NMOSFET，其特点是具有台阶型栅氧化层，其结构自下而上依次为：P型硅衬底层1、二氧化硅埋层2、薄硅膜层3、台阶型栅氧化层4和台阶型栅多晶硅层5，薄硅膜层有外围局部场氧化区34、中间P型井区31和N⁺型源区32、N⁺型漏区33。其制造方法是利用CMOS工艺，依次采用下列步骤：选择P型SOI衬底；P型井的制作；局部场氧化区的制作；台阶型栅氧化层的制作；台阶型栅多晶硅层的制作和处理；N⁺型源区和N⁺型漏区的制作；电极引出加工以及形成欧姆接触和保护。本发明解决了NMOSFET在材料、工艺、可靠性、可重复性、生产成本、反向击穿电压等诸多问题。

主权项

1、一种具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET，是在P型SOI衬底上制造射频SOI功率NMOSFET，其特征在于它具有台阶型栅氧化层，其结构自下而上依次为：P型硅衬底层(1)、二氧化硅埋层(2)、薄硅膜层(3)、台阶型栅氧化层(4)和台阶型栅多晶硅层(5)，所述的薄硅膜层(3)有外围局部场氧化区(34)、中间P型井区(31)和N+型源区(32)、N+型漏区(33)，N+型源区(32)和N+型漏区(33)置于P型井区(31)内；所述的台阶型栅氧化层(4)置于薄硅膜层(3)的中间P型井区(31)上表面；台阶型栅多晶硅层(5)置于台阶型栅氧化层(4)上表面。