采用标准CMOS逻辑工艺实现高耐压的整流器

摘要

一种采用标准CMOS逻辑工艺实现高耐压的整流器，其特征是由电容C1－电容C4、NMOS晶体管T1－NMOS晶体管T4、电阻R_L等构成；本发明通过在整流器所使用的晶体管的栅极上串联电容或类电容结构的器件来分压加至在晶体管的栅极上的电压，用于集成基于采用标准CMOS逻辑工艺实现的不挥发型的存储器的RFID电子标签/智能卡芯片的实现。采用本发明整流器，有助于集成基于采用标准CMOS逻辑工艺实现的不挥发型的存储器，并有助于降低RFID电子标签/智能卡芯片的制造和工艺成本。

主权项

1.一种整流器，其特征是包括：第一电容C1，它的一端连接输入端S1，另一端连接第二NMOS晶体管T2的栅极；第一NMOS晶体管T1，它的漏极连接输入端S1，它的栅极连接第二电容C2的一端，它的源极和衬底相连并接地；第二电容C2，它的一端连接输入端S2，另一端连接第一NMOS晶体管T1的栅极；第二NMOS晶体管T2，它的漏极连接输入端S2，它的栅极连接第一电容C1的一端，它的源极和衬底相连并接地；第三电容C3，它的一端连接输入端S1，另一端连接第三NMOS晶体管T3的栅极；第三NMOS晶体管T3，它的漏极连接输入端S1，它的栅极连接第三电容C3的一端，它的源极和第四NMOS晶体管T4的源极相连并作为整流器的输出端VL，它的衬底接地；第四电容C4，它的一端连接输入端S2，另一端连接第四NMOS晶体管T4的栅极；第四NMOS晶体管T4，它的漏极连接输入端S2，它的栅极连接第四电容C4的一端，它的源极和第三NMOS晶体管T3的源极相连并作为整流器的输出端VL，它的衬底接地；电阻RL，它的一端连接第三NMOS晶体管T3和第四NMOS晶体管T4的源极，另一端接地。