半导体发光元件

摘要

一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由区域部分(8a)和从该区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述区域部分(8a)。

主权项

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：半导体衬底；在该半导体衬底上形成的发光层；用于将发光限制在该发光层的一部分上而形成的电流阻止层；在该电流阻止层上以及发光层的其他部分上形成的电流扩散层；在该电流扩散层上形成的半导体衬底的表面侧电极；半导体衬底的背面侧电极；其中，由中央区域部分和外侧区域部分构成电流阻止层，该外侧区域部分从外侧包围该中央区域部分，电流扩散层的一部分介于二者之间，由此，使从半导体衬底的表面侧取出的发光部分形成为圆环状，并且使半导体衬底的表面侧电极和电流阻止层的中央区域部分相对，半导体衬底的表面侧电极的外侧轮廓设定得与发光部分的内侧轮廓之间的宽度实际上要一定，半导体衬底的表面侧电极是圆形，圆环状的发光部分的外周的半径和半导体衬底的圆形表面侧电极的外周的半径之差是电流扩散层的层厚的7.1～10.7倍。