| 发明名称 | 非挥发性存储单元的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种非挥发性存储单元的制作方法，先于一基底上形成一第一介电层，再于第一介电层上形成具有沟槽的一图案化掩模层。接着，于沟槽的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁，再去除图案化掩模层。之后，于基底上形成一第二介电层，覆盖电荷储存间隙壁，再于第二介电层上形成一导体层。随后，图案化导体层，以于电荷储存间隙壁上形成一栅极结构。之后，移除未被栅极结构覆盖的第二与第一介电层，再于栅极结构两侧的基底内形成源极/漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN100382282C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200410086966.8 | 申请日期 | 2004.10.20 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 宋达;吴升 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种非挥发性存储单元的制作方法，包括：于一基底上形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一图案化掩模层，其中该图案化掩模层具有一沟槽；于该沟槽的侧壁上形成一对电荷储存间隙壁；去除该图案化掩模层；于该基底上形成一第二介电层，覆盖该对电荷储存间隙壁与该第一介电层；于该第二介电层上形成一导体层；图案化该导体层，以于该对电荷储存间隙壁上形成一栅极结构；移除未被该栅极结构覆盖的该第二介电层与该第一介电层；以及于该栅极结构两侧的该基底内形成多个源极/漏极区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||