| 发明名称 | 半导体装置及其制法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制法，该装置包括：具有焊垫的半导体基材；第一、第二保护层，依次层叠在该半导体基材上，且暴露该焊垫；金属层，结合在该焊垫且覆盖其周围局部的该第二保护层；第三保护层，覆盖在该第二保护层及局部的该金属层，具有局部暴露该金属层的开口，且该开口中心与该焊垫中心偏离的间距小于焊垫半径；以及焊料凸块，结合在该开口暴露出的金属层上；本发明可防止焊块龟裂或焊块底层金属脱层现象，可应用在低介电常数的芯片，本发明的结构及工序简单，简化了工序并降低了制造成本，不需使用重配置工序，因此也不会产生寄生电容的问题，因此克服了上述现有技术的种种缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN100382291C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200510070908.0 | 申请日期 | 2005.05.17 |
| 申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 柯俊吉;戴国瑞;黄建屏 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，该装置至少包括：具有焊垫的半导体基材；第一、第二保护层，依次层叠在该半导体基材上，且暴露该焊垫；金属层，结合在该焊垫且覆盖其周围局部的该第二保护层；第三保护层，覆盖在该第二保护层及局部的该金属层，具有局部暴露该金属层的开口，且该开口中心与该焊垫中心偏离的间距小于焊垫半径；以及焊料凸块，结合在该开口暴露出的金属层上。 | ||
| 地址 | 台湾省台中县 | ||