发明名称 Grenzschicht-Graphen-Transistor
摘要 Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement (10, 40), ein Verfahren zum Betrieb eines elektronischen Bauelements (10, 40) sowie ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (10, 40). Um eine für eine Massenanfertigung geeignete Lösung zur Nutzung von Graphen für elektronische Bauelemente aufzuzeigen, wird ein elektronisches Bauelement (10, 40) vorgeschlagen, mit mindestens einer ersten Graphenschicht (11, 41) und mindestens einer zweiten Graphenschicht (12 42), die derart zueinander angeordnet sind, daß in einem ersten Zustand des Bauelements (10, 40) eine als Bandlücke dienende Grenzschicht (19) zwischen der mindestens einen ersten Graphenschicht (11, 41) und der mindestens einen zweiten Graphenschicht (12, 42) definiert ist und daß mit Hilfe eines externen elektrischen Feldes (E) ein zweiter Zustand des Bauelements (10, 40) hervorrufbar ist, in welchem zweiten Zustand diese Grenzschicht (19) derart verändert ist, daß ein elektrischer Strom (I) zwischen der mindestens einen ersten Graphenschicht (11, 41) und der mindestens einen zweiten Graphenschicht (12, 42) fließt.
申请公布号 DE102015106511(A1) 申请公布日期 2016.08.25
申请号 DE201510106511 申请日期 2015.04.28
申请人 Vilyuk, Konstantin 发明人 Vilyuk, Konstantin
分类号 H01L49/02;H01L21/28;H01L29/78 主分类号 H01L49/02
代理机构 代理人
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