发明名称 |
含有铜缓蚀剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物 |
摘要 |
半导体晶片清洗剂,含有1-21重量%氟化物源,20-55重量%有机胺,0.5-40重量%含氮成分如含氮羧酸或亚胺,23-50重量%水,以及0-21重量%金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物,例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。 |
申请公布号 |
CN100343361C |
申请公布日期 |
2007.10.17 |
申请号 |
CN02807236.7 |
申请日期 |
2002.03.27 |
申请人 |
高级技术材料公司 |
发明人 |
威廉·A·沃伊特恰克;法蒂玛·Ma·塞约;戴维·伯恩哈德;朗·源 |
分类号 |
C09K13/00(2006.01);C09K13/06(2006.01);C09K13/08(2006.01) |
主分类号 |
C09K13/00(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
樊卫民;杨青 |
主权项 |
1.一种半导体晶片清洗剂,以下而所示的重量百分比含有下面的成分,其重量百分比基于这些成分的总重量:氟化物源1-21%有机胺20-55%选自含氮羧酸和亚胺的含氮成分0.5-40%水23-50%金属螯合剂0-21%总计100%其中氟化物源是提供氟离子的化合物或化合物的混合物并且选自氟化铵、二氟化铵和氟化三乙醇铵,有机胺包括五甲基二乙撑三胺和三乙醇胺中的至少一种,当存在金属螯合剂时,所述金属螯合剂包含2,4-戊二酮。 |
地址 |
美国康涅狄格州 |