| 发明名称 | 具有多栅电极结构的电子器件和形成电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了包括叠加在沟道区(32)上和进一步包含通过层(42)相互隔开的第一(52)和第二(24)栅电极的多栅电极结构的电子器件(10)、和形成电子器件(10)的工艺。多栅电极结构(52，24)可以含有含有第一和第二部分的侧壁间隔件结构(62)。第一(52)和第二(24)栅电极可以具有不同导电类型。电子器件(10)还可以包括叠加在沟道区上的第一导电类型的第一栅电极(52)、位于第一栅电极(52)与沟道区(32)之间的第二导电类型的第二栅电极(24)、和位于第一栅电极(52)与衬底(18)之间的能够存储电荷的第一层(42)。 | ||
| 申请公布号 | CN101379613A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200680050680.1 | 申请日期 | 2006.11.30 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | G·L·辛达洛里 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L29/94(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 1.一种电子器件，包括：包括沟道区的衬底；和多栅电极结构，叠加在沟道区上，并且包含被沿着第一虚线具有第一尺度的第一层的至少第一部分相互隔开的第一和第二栅电极，其中，第一虚线与衬底的主面基本平行；第一栅电极具有第一导电类型，并且沿着第一虚线具有第二尺度；第二栅电极具有第二导电类型，并且沿着第一虚线具有第三尺度，第二导电类型不同于第一导电类型；沿着第一虚线分开第四尺度的第一侧壁结构部分与第二侧壁结构部分，其中，第一、第二、和第三尺度之和基本上等于第四尺度。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||