| 摘要 |
에피택셜 성장 장치를 위한 챔버 컴포넌트들이 개시된다. 반응 챔버는 천장 플레이트에 의해 정의되고 형성된다. 반응 가스는, 측벽에 배치된 반응 가스 공급 경로에서 조정되고, 이에 의해, 반응 챔버 내에서의 반응 가스의 유동 방향의 수평 컴포넌트는 반응 가스 공급 경로의 개구부의 중앙으로부터 연장되는 방향의 수평 컴포넌트에 대응한다. 에피택셜 성장 장치의 상부 측벽, 서셉터, 및 조정 플레이트에 대한 개선들은 기판들 상에 형성되는 에피택셜 층의 형성 속도 및 균일성에 대한 개선들을 초래했고, 이는 더 높은 처리량 및 더 낮은 결함들을 초래한다. |
