半导体器件

摘要

本实用新型提供一种半导体器件，本实用新型的课题在于提供适用了FinFET的延迟电路。半导体器件具有第一反相器和与其串联连接的第二反相器。第一及第二反相器分别具有p沟道型晶体管和n沟道型晶体管。构成第二反相器的p沟道型晶体管和n沟道型晶体管的活性区域的突起半导体层的个数分别比构成第一反相器的p沟道型晶体管和n沟道型晶体管的活性区域的突起半导体层的个数少。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：第一反相器；以及与所述第一反相器串联连接的第二反相器，所述第一反相器具有：第一p沟道型晶体管；以及第一n沟道型晶体管，所述第二反相器具有：第二p沟道型晶体管；以及第二n沟道型晶体管，所述第一p沟道型晶体管具有：由突起半导体层构成并沿第一方向延伸的第一活性区域；沿第二方向延伸的第一栅电极；沿所述第二方向延伸并与所述第一活性区域的源极侧连接的第一局部连接布线；以及沿所述第二方向延伸并与所述第一活性区域的漏极侧连接的第二局部连接布线，所述第一n沟道型晶体管具有：由突起半导体层构成并沿第一方向延伸的第二活性区域；沿第二方向延伸的所述第一栅电极；沿所述第二方向延伸并与所述第二活性区域的源极侧连接的第三局部连接布线；以及沿所述第二方向延伸并与所述第二活性区域的漏极侧连接的第四局部连接布线，所述第二p沟道型晶体管具有：由突起半导体层构成并沿第一方向延伸的第三活性区域；沿第二方向延伸的第二栅电极；沿所述第二方向延伸并与所述第三活性区域的源极侧连接的第 五局部连接布线；以及沿所述第二方向延伸并与所述第三活性区域的漏极侧连接的第六局部连接布线，所述第二n沟道型晶体管具有：由突起半导体层构成并沿第一方向延伸的第四活性区域；沿第二方向延伸的所述第二栅电极；沿所述第二方向延伸并与所述第四活性区域的源极侧连接的第七局部连接布线；沿所述第二方向延伸并与所述第四活性区域的漏极侧连接的第八局部连接布线，所述第三活性区域的数量比所述第一活性区域的数量少，所述第四活性区域的数量比所述第二活性区域的数量少。