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发明名称 METAL SEMICONDUCTOR JUNCTION SCHOTTKY DIODE PHOTONIC DEVICE USING STRAINED LAYER STRUCTURE
摘要
申请公布号 KR0148597(B1) 申请公布日期 1998.10.15
申请号 KR19940030898 申请日期 1994.11.23
申请人 KOREA ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 KWON, OH-KYUN;CHOE, YOUNG-WAN;KIM, KWANG-JOON;LEE, ILL-HANG
分类号 H01L29/47;G02F1/015;G02F3/00;G02F3/02;H01L29/12;H01L29/872;H01L31/0352;H01L31/108;(IPC1-7):H01L31/10 主分类号 H01L29/47
代理机构 代理人
主权项
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