发明名称 | N和P沟道晶体管的利用正主体偏压的自适应阈电压控制 | ||
摘要 | 用于CMOS晶体管的阈值控制电路,其中利用反馈电路来控制n沟道参考晶体管主体上的电压,以便在主体上产生正电压并将参考晶体管的阈值降低到所需数值,并且利用反馈电路来控制p沟道参考晶体管主体上的电压,以便在主体上产生负电压并将参考晶体管的阈值降低到所需数值。 | ||
申请公布号 | CN1643680A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
申请号 | CN03805945.2 | 申请日期 | 2003.01.15 |
申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | D·E·福尔克森 |
分类号 | H01L23/00 | 主分类号 | H01L23/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体晶体管阈值控制器,它包括:具有主体的参考晶体管,其上的电压可以按照第一方向改变,以降低所述参考晶体管的阈电压;反馈电路,可以用来产生按照所述第一方向增加的反馈电压;以及一种装置,它连接所述参考晶体管的所述主体以接收所述反馈电压,以便将所述参考晶体管的所述阈值降低到所需数值。 | ||
地址 | 美国新泽西州 |