等离子体处理系统中最佳温度控制的方法和设备

摘要

本发明描述了一种用于控制等离子体处理设备的上室温度的温度控制装置。该温度控制装置包括：导热体，具有与等离子体处理设备的上室可移动连接、并与其进行热连通的内表面和外表面。温度控制装置还包括多个热界面层，与导热体进行热连通，其中至少一层是加热件；以及冷却件，与带状导热体连接并与等离子体处理设备的上室热耦合，其中，冷却件用于传导流体介质。温度控制装置还包括至少一个温度传感器，用于感测等离子体处理设备的上室温度；温度控制单元，用于控制加热件和冷却件；以及锁定机构，用于将温度控制装置固定到上室。

主权项

1.一种用于控制等离子体处理设备的上室温度的温度控制装置，包括：导热体，具有与所述等离子体处理设备的所述上室可移动连接并与所述等离子体处理设备的上室热连通的内表面和外表面；多个热界面层，与所述导热体热连通，其中，至少一层是加热件；冷却件，与带状的所述导热体连接并与所述等离子体处理设备的所述上室热耦合，其中，所述冷却件配置为传导流体介质；至少一个温度传感器，用于感测所述等离子体处理设备的所述上室的温度；温度控制单元，用于控制所述加热件和所述冷却件；以及锁定机构，用于将所述温度控制装置固定到所述上室。