| 发明名称 | 处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种处理装置，在能够抽真空的处理容器内对被处理体进行规定的处理，特别是进行HfO、HfSiO、ZrO、ZrSiO、PZT、BST等的high－k电介质膜的成膜，在暴露于处理容器内的处理气氛中的处理容器的构成部件的表面、例如在处理容器内壁面形成由SAM(Self assembled monolayer)构成的膜附着防止层。由此可以防止在构成部件的表面堆积难以通过干洗除去的无用膜，可以大幅度降低处理装置的清洗频率。 | ||
| 申请公布号 | CN101356630A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200780001297.1 | 申请日期 | 2007.04.05 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 柿本明修 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘春成 |
| 主权项 | 1.一种处理装置，在能够抽真空的处理容器内对被处理体实施规定的处理，其特征在于：具有构成所述处理装置并暴露于所述处理容器内的处理气氛的构成部件，在该构成部件的表面形成有由自组装单分子膜(SAM)构成的膜附着防止层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||