| 发明名称 |
具有冗余配置之堆叠式记忆结构及其方法;STACKED MEMORY STRUCTURE WITH REDUNDANCY CONFIGURATION AND METHOD THEREOF |
| 摘要 |
本揭露提供一种具有冗余配置之堆叠式记忆结构及其方法，记忆电路包含有堆叠式记忆阵列以及控制电路。且堆叠式记忆阵列包含有第一层及第二层。控制电路系配置接收第一层之第一位址，致使第二层可存取，以及提供第二列位址以存取第二层。; cause the second layer to be enabled for accessing; and provide a second row address for accessing the second layer. |
| 申请公布号 |
TW201508766 |
申请公布日期 |
2015.03.01 |
| 申请号 |
TW103108094 |
申请日期 |
2014.03.10 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD. |
发明人 |
陈建源 CHEN, CHIEN YUAN;黄健羽 HUANG, CHIEN YU;陈彝梓 CHEN, YI TZU;谢豪泰 SHIEH, HAU TAI |
| 分类号 |
G11C7/18(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L27/105(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/18(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
冯博生 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |
