用于OTP器件的电平移位电路

摘要

本发明公开了一种用于OTP器件的电平移位电路，PMOS管通过串接的方式保证了PN结不被击穿，NMOS采用NW作为漏极保证PN结不被击穿，从而使整体电路安全工作于12V高压下。本发明的另外一种技术方案是利用PMOS管的衬底电阻实现限流，从而承受高压，且可有效的减小器件版图面积。本发明利用普通的低压晶体管设计可以耐高压的电平移位电路，降低工艺成本。

主权项

1、一种用于OTP器件的电平移位电路，包含一个NMOS的组合网络，该组合网络含有两个互补的NMOS开关结构，并交叉地连接到一对PMOS管的栅极，构成一个有正反馈的网络，其特征在于：两个NMOS管MN1、MN2采用FD型的MOS管，一对PMOS管分别由MP1、MP2和MP3、MP4串接构成。