存储阵列层和编程3D RRAM的方法

摘要

在硅基底上与外围电路一起形成在3D RRAM中使用的存储器阵列层；沉积和形成氧化硅、底部电极材料、氧化硅、电阻器材料、氧化硅、氮化硅、氧化硅、顶部电极以及覆盖氧化物的层。多个存储器阵列层彼此层叠形成。本发明的RRAM可以在单步或两步编程过程中编程。

主权项

1.一种在3D RRAM中使用的存储器阵列层，所述存储器阵列提供在其上具有外围电路的硅基底上，所述存储器阵列依照次序从所述硅基底的表面上开始起包括：沉积和平面化的第一氧化硅层；采用选自Pt、PtRhOx、PtIrOx以及TiN/Pt组成的材料组中的材料所形成的底部电极；第二氧化物层，厚度至少为底部电极厚度的1.5倍，被沉积并被平面化到暴露底部电极的水平；存储器电阻材料层；Si3N4层；第三氧化物层，厚度为存储器电阻材料厚度的1.5倍；进行CMP以便暴露存储器电阻表面；采用选自Pt、PtRhOx、PtIrOx以及TiN/Pt组成的材料组中的材料所形成的顶部电极；以及覆盖氧化物层。