| 发明名称 | 硅的结晶方法 | ||
| 摘要 | 一种硅的结晶方法包括制备一其上形成有非晶硅薄膜的基板；在形成于基板上的非晶硅薄膜的第一区域上方对准具有第一能量区域和第二能量区域的掩模；将激光束穿过掩模的第一和第二能量区域照射到非晶硅薄膜的第一区域上；穿过掩模的第一能量区照射激光束，使非晶硅薄膜的第一区域结晶；该掩模的第二能量区域衍射所照射的激光束；以及穿过第二能量区照射激光束来激活结晶的第一区域。 | ||
| 申请公布号 | CN100381875C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200410038353.7 | 申请日期 | 2004.05.24 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 俞载成 |
| 分类号 | G02F1/13(2006.01);H01L21/26(2006.01);H01L21/268(2006.01) | 主分类号 | G02F1/13(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;祁建国 |
| 主权项 | 1.一种硅的结晶方法，包括：制备一其上形成有非晶硅薄膜的基板；在形成于基板上的非晶硅薄膜的第一区域上方对准具有第一能量区域和第二能量区域的掩模；将激光束穿过掩模的第一和第二能量区域照射到非晶硅薄膜的第一区域上；穿过掩模的第一能量区域照射激光束，使非晶硅薄膜的第一区域结晶；该掩模的第二能量区域衍射所照射的激光束；以及穿过第二能量区域照射激光束来激活结晶的第一区域。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||