发光二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面外延生长一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：形成一折射率与所述有源层的整体的等效折射率之差小于0.3的第一光学对称层；步骤e：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层；以及步骤f：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。

主权项

一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面外延生长一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：形成一折射率与所述有源层的整体的等效折射率之差小于0.3的第一光学对称层于金属等离子体产生层远离基底的表面；步骤e：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层；以及步骤f：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。