发明名称 フォトマスク欠陥性における変化の監視
摘要 仕様の範囲内であるレチクルは、各異常なレチクル特徴の場所及びサイズ値を示すベースライン事象を生成するために検査される。フォトリソグラフィにおいてレチクルを使用した後、レチクルは、異常なレチクル特徴の場所及びサイズ値を示す現在の事象を生成するために検査される。候補欠陥及びそれらの画像の検査報告は、これらの候補欠陥が、現在の事象の第1のサブセット及びそれらの対応する候補欠陥画像を含み、現在の事象の第2のサブセット及びそれらの対応する除外された画像を除外するように生成される。含まれた第1の事象のうちのそれぞれは、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有し、除外された第2の事象のうちのそれぞれは、ベースライン事象の場所及びサイズ値と照合する場所及びサイズ値を有する。
申请公布号 JP2016528497(A) 申请公布日期 2016.09.15
申请号 JP20160531834 申请日期 2014.07.29
申请人 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 发明人 グアン チュン;シオン ヤーリン;ブレッカー ジョセフ;コムストック ロバート エー;ウィル マーク ジェイ
分类号 G01N21/956;G03F1/36;G03F1/84 主分类号 G01N21/956
代理机构 代理人
主权项
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