发明名称 |
WIRE-LAST-GATE-ALL-AROUND-NANODRAHT-FET |
摘要 |
Eine Nanodraht-Feldeffekttransistor(FET)-Einheit beinhaltet einen ersten Source-/Drain-Bereich und einen zweiten Source-/Drain-Bereich. Jeder von dem ersten und dem zweiten Source-/Drain-Bereich ist auf einer Oberseite eines Bulk-Halbleitersubstrats ausgebildet. Ein Gate-Bereich ist zwischen den ersten und den zweiten Source-/Drain-Bereich zwischengefügt und befindet sich direkt auf der Oberseite des Bulk-Halbleitersubstrats. Eine Mehrzahl von Nanodrähten ist lediglich in dem Gate-Bereich ausgebildet. Die Nanodrähte hängen über dem Halbleitersubstrat und definieren Gate-Kanäle der Nanodraht-FET-Einheit. Eine Gate-Struktur beinhaltet eine Gate-Elektrode, die in dem Gate-Bereich derart ausgebildet ist, dass sich die Gate-Elektrode mit einer gesamten Oberfläche jedes Nanodrahts in Kontakt befindet. |
申请公布号 |
DE102016204414(A1) |
申请公布日期 |
2016.09.22 |
申请号 |
DE201610204414 |
申请日期 |
2016.03.17 |
申请人 |
International Business Machines Corporation |
发明人 |
Chang, Josephine B.;Guillorn, Michael A.;Lauer, Isaac;Sleight, Jeffrey W. |
分类号 |
H01L29/775;H01L21/20;H01L21/283;H01L21/324;H01L29/423 |
主分类号 |
H01L29/775 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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