一种发光二极管的外延片及制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，高温缓冲层为N型掺杂的氮化镓层，成核层包括层叠的多层N型Al_xGa_1‑xN层，通过将成核层设计为多层掺杂浓度逐层递增的N型Al_xGa_1‑xN层，高温缓冲层设计为掺杂浓度在成核层和N型层之间，有利于底层电流扩展，降低芯片正向电压，从而降低芯片的能耗。而且Al_xGa_1‑xN层可以有效缓解GaN和蓝宝石衬底之间的晶格失配，加上高温缓冲层的掺杂浓度在成核层和N型层之间，进一步提高成核层、高温缓冲层、N型层之间的晶格匹配度，改善外延片的翘曲度。

主权项

一种发光二极管的外延片，所述外延片包括依次层叠的蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，所述高温缓冲层为N型掺杂的氮化镓层，所述成核层包括层叠的多层N型Al_xGa_1‑xN层，其中，0≤X≤1，各层所述N型Al_xGa_1‑xN层的掺杂浓度不变，多层所述N型Al_xGa_1‑xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐层递增，所述高温缓冲层的掺杂浓度大于或等于掺杂浓度最高的所述N型Al_xGa_1‑xN层的掺杂浓度，且所述高温缓冲层的掺杂浓度小于或等于所述N型层的掺杂浓度。