发明名称 |
半导体器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种高效率低成本地制作芯片尺寸封装的方法,通过在半导体芯片电极形成面一侧制作导电引线,扩大该封装的电极间距,特别地,提供一种制作引线和形成凸块的方法。一种半导体器件,包括半导体元件,以及在半导体元件上通过刻蚀形成引线的金属箔而形成的导电引线;一种半导体器件制作方法,包括以下步骤:在电极形成面一侧将形成电极的金属箔层压到半导体上,在金属箔上制作光刻胶引线图形,刻蚀金属箔以及将器件分割成单个的元件。 |
申请公布号 |
CN1194394C |
申请公布日期 |
2005.03.23 |
申请号 |
CN01808353.6 |
申请日期 |
2001.03.27 |
申请人 |
东洋钢钣株式会社;须贺唯知 |
发明人 |
西條谨二;大泽真司;岡本浩明;吉田一雄;须贺唯知 |
分类号 |
H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体器件的制作方法,包括以下步骤:在电极形成面一侧将厚度为1~100μm的用于形成引线的金属箔层压到半导体晶片上,在所述半导体晶片表面形成电路元件;在金属箔上形成光刻胶引线图形;刻蚀金属箔;去除光刻胶;以及分割成单个元件。 |
地址 |
日本东京 |