制造半导体器件的方法及用这种方法制造的半导体器件

摘要

本发明提供用于制造至少分段地在衬底内延伸的布线的方法，其中至少配置一种在半导体衬底内延伸的、导电的连接和至少配置一种在半导体衬底上延伸的、导电的连接。按本发明制造的半导体器件使防止极端操作的高度安全性是重要的应用成为可能。

主权项

1.制造具有在衬底内分段延伸的布线的半导体器件的方法，其中配置一种在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)和配置一种在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(14，18)，并且此方法是与制造两种类型的晶体管的方法相适配的，具有下列步骤：a)提供半导体衬底(1)，半导体衬底(1)具有用于第一种晶体管类型的晶体管的第二导电类型的第一区域(3)，和用于第二种晶体管类型的晶体管的第一导电类型的第二区域(5)，b)在半导体衬底(1)上淀积第一绝缘层(8)，c)在第一区域(3)内，在稍后的在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)与在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(14)之间的交叉点的范围内注入第一种导电类型的掺杂物；在第二区域(5)内，在稍后的在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)与在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(18)之间的交叉点的范围内注入第二种导电类型的掺杂物；或者在第一区域(3)内，在稍后的在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)与在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(14)之间的交叉点的范围内注入第一种导电类型的掺杂物并且在第二区域(5)内，在稍后的在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)与在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(18)之间的交叉点的范围内注入第二种导电类型的掺杂物，d)在第一绝缘层(8)上淀积一种导电层(10)，在该导电层(10)上淀积保护层(11)，e)利用光刻技术淀积第一掩膜(12)，该掩膜掩盖第二区域(5)并且在第一区域(3)内只掩盖需制造的第一种晶体管类型的晶体管的栅极线以及必要时掩盖在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(14)，在第一和第二区域(3，5)之间配置一个区域(19)，该区域不被第一掩膜(12)掩盖，f)采用第一掩膜(12)以通过氧化使导电层(10)转变为第二绝缘层(22)或去除，和在半导体衬底(1)中注入第一导电类型的掺杂物(15)，在淀积第一掩膜(12)之后，对应于该掩膜(12)该保护层(11)被去除，g)利用光刻技术淀积第二掩膜(17)，该掩膜掩盖第一区域(3)并且在第二区域(5)内只掩盖需制造的第二种晶体管类型的晶体管的栅极线以及必要时掩盖在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(18)，在第一和第二区域(3，5)之间配置一个区域(19)，该区域不被第二掩膜(17)掩盖，h)采用第二掩膜(17)以将导电层(10)氧化成为第二绝缘层(22)或去除，和在半导体衬底(1)中注入第二导电类型的掺杂物(20)，在淀积第二掩膜(17)之后，对应于该掩膜(17)该保护层(11)被去除，i)通过提高温度，由在交叉点的范围内的并利用第一和第二掩膜引入的掺杂物来制造在半导体衬底内延伸的导电的连接(24)，所述交叉点范围是：在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)与在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(14)之间的交叉点的范围，或者是在半导体衬底内延伸的、导电的连接(24)与在半导体衬底(1)上延伸的、导电的连接(18)之间的交叉点的范围。