| 发明名称 | 应变沟道晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的应变沟道晶体管包括：半导体基片；半导体层，具有大于所述半导体基片的晶格常数的晶格常数，并且形成在所述半导体基片上；应变沟道层，形成在所述半导体层上；以及一对外延层，形成在所述应变沟道层的两侧上以改变所述应变沟道层的晶格结构。由于沟槽区形成在所述应变沟道层中并且所述外延层形成在所述沟槽区中，所述应变沟道层的晶格距离通过来自所述外延层的应力而变宽，并最终提高通过沟道的电荷的迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN1905211A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610099507.2 | 申请日期 | 2006.07.26 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 丁明镇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/02(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种应变沟道晶体管，包括：半导体基片；半导体层，具有大于所述半导体基片的晶格常数的晶格常数，并且形成在所述半导体基片上；应变沟道层，形成在所述半导体层上；一对外延层，形成在所述应变沟道层的两侧上以改变所述应变沟道层的晶格结构；栅图案，形成在所述应变沟道层上；以及源和漏区，形成在所述外延层上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||