| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及器件的一种制造方法。半导体器件包括安装了半导体元件、第一加强件、加固树脂构件及用于加固加固树脂构件的第二加强件的衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101026131A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200610109585.6 | 申请日期 | 2006.08.14 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 福园健治 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/58(2006.01) | 主分类号 | H01L23/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 宋鹤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括衬底，半导体元件，其被表面安装在所述衬底上，第一加强件，布置在所述衬底上的围绕所述半导体元件的位置上，和加固树脂构件，布置在所述衬底上的所述半导体元件和所述第一加强件之间，包括：用于加固所述加固树脂构件的第二加强件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||