发明名称 半导体元件的制造方法和半导体元件
摘要 半导体元件(10)的制造方法包括:形成包含电介质膜(3)的半导体元件(10)的半导体元件形成工序;将区划半导体元件(10)的区划区域中的电介质膜(3)除去来形成划片区域(11)的划片区域形成工序;和在划片区域(11)进行划片的划片工序。
申请公布号 CN105706215A 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201480061046.2 申请日期 2014.10.24
申请人 夏普株式会社 发明人 松浦文章;佐藤知稔
分类号 H01L21/301(2006.01)I;B24B27/06(2006.01)I 主分类号 H01L21/301(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳;池兵
主权项 一种半导体元件的制造方法,其特征在于,包括:半导体元件形成工序,在形成于衬底上的GaN类半导体膜上形成电介质膜,由此形成多个半导体元件;划片区域形成工序,将区划所述多个半导体元件的区划区域中的所述电介质膜除去,由此形成槽形状的划片区域;和划片工序,对所述划片区域进行划片,由此切割出所述多个半导体元件。
地址 日本大阪府