| 发明名称 | 多重密封环结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括提供具有密封环区域和电路区域的基板，形成在密封环区域上方的第一密封环结构，所述第一密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)，形成在密封环区域上方并且邻近第一密封环结构的第二密封环结构，所述第二密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，和形成在第一密封环结构和第二密封环结构上的第一钝化层。也提供了一种通过这种方法制造的多重密封环结构的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105702666A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610069848.9 | 申请日期 | 2011.08.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨敦年;刘人诚;林政贤;王文德;蔡纾婷 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板，具有密封环区域和电路区域；围绕所述电路区域呈封闭环的第一密封环结构，位于所述密封环区域上方，具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)；围绕所述电路区域呈封闭环的第二密封环结构，位于所述密封环区域上方并且邻近所述第一密封环结构，具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，其中，每个所述第一密封环结构和所述第二密封环结构都由围绕所述电路区域布置的金属层以及分布在介电层(216)中的通孔层(214)堆叠组成；第一钝化层，位于所述第一密封环结构和所述第二密封环结构上方；和位于第二密封环结构的内部部分(220b)和第一密封环结构的外部部分(210a)之间的三角形内部密封环结构(230)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||