エッチングされたシリコン、エッチングされたシリコン構造を形成する方法及びその使用

摘要

シリコンをエッチングする方法であって、前記方法は以下のステップ：エッチングされるシリコン表面上に第一金属を無電解で成膜するステップであって、ここで、前記無電解で成膜された第一金属は、エッチングされる前記シリコンの表面を部分的に覆うステップ；前記第一金属とは異なる第二金属を、前記シリコン表面及び前記無電解で成膜された第一金属の上に成膜するステップであって、ここで、前記成膜された第二金属のフィルムは、エッチングされる前記シリコン表面を覆うステップ；前記第一金属及び前記第二金属を、前記第一金属の上に重なる、前記成膜された第二金属のフィルムの領域から除去して、エッチングされる前記シリコン表面を部分的に覆う前記第二金属を残留させるステップ；及び前記シリコン表面を、酸化剤及びフッ化物イオンのソースを含む水溶性エッチング組成物に曝露することにより、前記シリコンをエッチングするステップ、を含む、方法。