半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后，在检查步骤中，使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片，在随后的检查步骤中，对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺，由此可以提高检查效率并减少检查成本。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体晶片上形成多个大规模集成电路；将半导体晶片切割成分立的多个大规模集成电路芯片，每个芯片具有主面和与主面相反的背面，在主面上形成有电路；从所述切割的多个大规模集成电路芯片中重新排列和集成N个切割的大规模集成电路芯片，所述切割的大规模集成电路芯片集成在夹具中使得各芯片的背面与夹具接触而主面露出用于检查，其中，所述夹具具有：大规模集成电路芯片的容纳部，该容纳部具有尺寸与大规模集成电路芯片的大小对应的多个开口，所述大规模集成电路芯片安装在所述开口中；以及接触器，该接触器具有在对应于所述大规模集成电路芯片的电极焊盘的位置处形成的、用于与大规模集成电路芯片的电极焊盘电连接的探针；以夹具中所述切割的多个大规模集成电路芯片为一单元通过多个检查步骤进行检查，所述检查步骤包括用接触器与大规模集成电路芯片的主面电连接的步骤；以及在所述检查步骤得到的检查结果的基础上筛选大规模集成电路芯片。